侵权投诉

NAND,DRAM的供应不受冠状病毒爆发的影响

来源:电子发烧友网 作者:elecfans 2020-02-13 01:27 次阅读

对于DRAM模块的全球价格有望今年由微软公司和索尼互动娱乐公司。Xbox Series X和PlayStation 5将比以前的版本具有更强大的规格,并且游戏机与NVIDIA Corporation的新图形处理单元结合使用时,将确保对DRAM的大量需求。反过来,这种需求自然会产生真空,价格上涨将填补真空。

最近在中国武汉市爆发的新型冠状病毒(2019-nCoV)引发了科技公司与供应链中断相关的担忧。总部位于加利福尼亚州库比蒂诺的设计师苹果公司在武汉拥有不少于20家供应商。在其最新的2020财年第一季度收益电话中,该公司管理层表示正在密切监视东亚地区的情况。

由于主要工厂正常运转,中国的DRAM生产仍不受冠状病毒的影响

研究公司TrendForce今天发布的一份新报告谈到了冠状病毒对中国DRAM制造商的影响。至此,大多数病例仍属于武汉市,据信该病毒起源于武汉市。幸运的是,对于DRAM供应,武汉省没有主要的DRAM制造商。因此,与冠状病毒相关的新型中断对中国DRAM供应的潜在影响尚未显现。

正如TrendForce指出的那样,武汉附近只有一家中国主要的DRAM制造商。长鑫存储(CXMT)在合肥市设有一家制造工厂,距离冠状病毒的震中约380公里。今天的报告称,该公司的合肥工厂尚未面临任何与病毒有关的破坏,其扩张计划仍未受到影响,并且不会受到中国政府因持有冠状病毒而施加的任何与物流或运输相关的限制的影响。

在美光,三星和SK海力士之外,只有SK海力士的DRAM制造厂位于中国境内,但幸运的是,该公司在中国无锡的工厂距武汉700多公里。无锡工厂最近进行了扩建,SK海力士计划通过该工厂每月生产18万片晶圆。然而,TrendForce继续警告说,尽管DRAM的制造仍不受2019年新型冠状病毒的影响,但在不久的将来不能排除该病对中国物流供应线的影响。

转向NAND供应。长江存储技术有限公司和武汉新芯半导体制造有限公司的工厂位于武汉。人们认为,长江公司将在新芯位于武汉的制造厂中运营,但鉴于两家公司的产量都不足全球NAND供应量的1%,因此,任何对其设施的中断都会对NAND供应产生有限的影响。

两家公司都宣布非必要员工可以在家工作,但是工厂员工必须根据农历新年的时间表报告工作情况。三星电子和英特尔公司由于位于武汉的NAND制造设施与武汉市之间的距离,因此可以安全地免受冠状病毒的影响。两家公司的设施将根据今天报告的详细信息正常运行。总而言之,冠状病毒尚未严重破坏NAND和DRAM供应链,从外观上看,病毒对这些模块的总体影响将受到限制。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

固态硬盘存储的数据会丢失吗

闪存(NAND)的数据存储是把电子禁锢在栅极里,实际上,温度越高,电子越活跃,越有可能跑掉一部分,时....
的头像 Wildesbeast 发表于 02-22 16:44 132次 阅读
固态硬盘存储的数据会丢失吗

2019年四季度全球DRAM厂商营收三星排第一

据国外媒体报道,TrendForce的研究部门DRAMeXchange公布了2019年第四季度的全球....
的头像 汽车玩家 发表于 02-20 20:58 232次 阅读
2019年四季度全球DRAM厂商营收三星排第一

存储芯片或供不应求,将迎来新制程时代

历经一年多的景气循环,记忆体大厂库存去化有成,加上供给端新增产能有限,今年受惠5G 时代来临,供需将....
的头像 汽车玩家 发表于 02-20 16:53 269次 阅读
存储芯片或供不应求,将迎来新制程时代

全球DRAM厂自有品牌内存营收最新排名公布 三星依然排名第一

今日,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)公布了全球DRAM厂自有品牌内存营收最新排名....
的头像 工程师邓生 发表于 02-19 16:11 455次 阅读
全球DRAM厂自有品牌内存营收最新排名公布 三星依然排名第一

DRAMless并非永远代表低预算 还有这些设计须知

除了设计没有DRAM的SSD或USB磁盘驱动器的成本外,还有其他原因。 闪存控制器的设计要么具有外部....
发表于 02-12 20:41 1087次 阅读
DRAMless并非永远代表低预算 还有这些设计须知

SK Hynix将在2020年削减资本支出 加速过渡1z nm DRAM和128L 4D NAND

在2019年收入和利润率大幅下降之后,SK Hynix宣布计划削减其资本支出。尽管市场已经显示出复苏....
的头像 刘伟DE 发表于 02-11 11:37 1151次 阅读
SK Hynix将在2020年削减资本支出 加速过渡1z nm DRAM和128L 4D NAND

凭借BiCS5 3D NAND技术西部数据进一步增强其存储领域领导优势

BiCS5采用了广泛的新技术和创新的制造工艺,是西部数据迄今为止最高密度、最先进的3D NAND。
发表于 02-10 19:46 234次 阅读
凭借BiCS5 3D NAND技术西部数据进一步增强其存储领域领导优势

英特尔665p SSD上架,售价20680日元

根据日本消息报道,英特尔新款665p SSD已经到货,升级为96层3D QLC NAND,容量为1T....
的头像 牵手一起梦 发表于 02-07 13:47 853次 阅读
英特尔665p SSD上架,售价20680日元

小米10将全线采用LPDDR5你期待吗

今天上午,美光科技宣布,已交付全球首款量产的 LPDDR5 DRAM 芯片,并将率先搭载于即将上市的....
的头像 Wildesbeast 发表于 02-06 17:03 670次 阅读
小米10将全线采用LPDDR5你期待吗

SSD固态硬盘有限制,DRAM内存就可以永久使用吗

按照分布位置的不同,DRAM内存属于内部存储器,紧挨着CPU处理器,用来临时存放后者需要的运算数据,....
发表于 02-06 16:23 209次 阅读
SSD固态硬盘有限制,DRAM内存就可以永久使用吗

SSD固态硬盘使用寿命解读 为什么会有如此限制

随着技术的发展,我们使用的存储器也各种各样,虽然都基于芯片颗粒,但表现截然不同,比如说读写次数限制,....
的头像 工程师邓生 发表于 02-06 15:18 649次 阅读
SSD固态硬盘使用寿命解读 为什么会有如此限制

半导体行业迎来大跌幅 DRAM和NAND是重灾区

美国半导体行业协会(SIA)在当地时间周一公布了 2019 年全球半导体行业的营收。
发表于 02-05 13:55 631次 阅读
半导体行业迎来大跌幅 DRAM和NAND是重灾区

三星电子推出业界首款符合HBM2E规范的内存——Flashbolt HBM DRAM

三星电子宣布推出了业界首款符合HBM2E规范的内存。它是第二代Aquabolt的后继产品,具有16G....
发表于 02-05 13:40 174次 阅读
三星电子推出业界首款符合HBM2E规范的内存——Flashbolt HBM DRAM

西部数据和Kioxia研发第五代BiCS 3D NAND成功,今年实现量产

根据消息报道,西部数据公司和Kioxia(铠侠)公司宣布,他们最新一代的3D NAND闪存已经开发成....
的头像 牵手一起梦 发表于 02-04 16:25 1133次 阅读
西部数据和Kioxia研发第五代BiCS 3D NAND成功,今年实现量产

2019年芯片巨头SK海力士运营利润狂跌87%

据外媒报道,韩国芯片巨头SK海力士公布2019年全年营业利润为2.71万亿韩元(约合22.7亿美元)....
发表于 02-01 10:27 774次 阅读
2019年芯片巨头SK海力士运营利润狂跌87%

存储器供需结构已反转,1月份存储器价格进入上升循环

最新发布的存储器价格报告指出,存储器产业新年伊始就迎来供需结构反转的消息。
发表于 01-21 08:17 728次 阅读
存储器供需结构已反转,1月份存储器价格进入上升循环

NAND闪存成2020年增长最快产品 三大半导体存储公司出现复苏迹象

2020年NAND闪存将会是IC市场增长最快的产品,IC Insights给出的数据预计增长率达到1....
的头像 渔翁先生 发表于 01-18 01:24 7881次 阅读
NAND闪存成2020年增长最快产品 三大半导体存储公司出现复苏迹象

搭载长江存储3D NAND闪存的SSD产品性能达到国际领先水平

根据国科微官方的消息,国科微搭载长江存储3D NAND闪存的固态硬盘产品已完成批量测试。
的头像 牵手一起梦 发表于 01-17 15:17 1265次 阅读
搭载长江存储3D NAND闪存的SSD产品性能达到国际领先水平

长江存储64层3D NAND实现量产 意图打破全球垄断局面

1 月 16 日讯,据悉,长江存储科技有限责任公司 副董事长杨道虹表示,2019 年,国家存储器基地....
发表于 01-16 14:06 282次 阅读
长江存储64层3D NAND实现量产 意图打破全球垄断局面

长江存储64层闪存已量产 预计会有更多的储存产品用上国产芯片

长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示,国家存储器基地项目经过 3 年的建设已经取得了阶段性成效....
发表于 01-16 10:27 307次 阅读
长江存储64层闪存已量产 预计会有更多的储存产品用上国产芯片

存储技术更加注重技术的升级 2020年中国大陆存储将进入丰年

与2018 年的并购、建厂、扩产、投产相比,到目前为止,今年的存储器领域并未出现大规模的并购建厂,而....
发表于 01-15 11:15 223次 阅读
存储技术更加注重技术的升级 2020年中国大陆存储将进入丰年

2019年全球半导体收入下滑11.9% 英特尔、三星和Sk海力士位居前三

1月14日,Gartner发布最新数据显示,存储器市场的疲软表现影响了许多顶级供应商,全球半导体行业....
的头像 章鹰 发表于 01-15 10:34 4121次 阅读
2019年全球半导体收入下滑11.9% 英特尔、三星和Sk海力士位居前三

DRAM和NAND闪存现货价格持续上涨 存储模组厂乐看2020年前景

迈入2020年,DRAM模组及NAND Flash终端产品现货价持续上涨,与存储颗粒合约价之间的溢价....
的头像 刘伟DE 发表于 01-15 09:36 1878次 阅读
DRAM和NAND闪存现货价格持续上涨 存储模组厂乐看2020年前景

你了解eMMC吗?eMMC的详细资料介绍

eMMC (Embedded MultiMedia Card) 为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准....
发表于 01-14 15:49 190次 阅读
你了解eMMC吗?eMMC的详细资料介绍

国家存储器基地二期预计2020年产值将超过100亿美元

会上,湖北亮出了 2019 年发展的成绩单。例如,我国首款 64 层三维闪存芯片在武汉量产;华星光电....
发表于 01-14 14:44 464次 阅读
国家存储器基地二期预计2020年产值将超过100亿美元

南亚科自研10nm DRAM DRAM产品可持续微缩至少三个时代

1 月 13 日讯,近日,南亚科技股份有限公司称,公司已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术,....
发表于 01-14 10:47 172次 阅读
南亚科自研10nm DRAM DRAM产品可持续微缩至少三个时代

铠侠欲推出全新消费级SSD品牌 从闪存到主控再到固件都将自主研发

作为NAND闪存技术发明人、全球第二大闪存供应商,从东芝独立出来之后的铠侠(Kioxia)从2020....
的头像 工程师邓生 发表于 01-13 17:43 581次 阅读
铠侠欲推出全新消费级SSD品牌 从闪存到主控再到固件都将自主研发

南亚科李培瑛宣布已完成自主研发10纳米级DRAM技术 预计2020下半年陆续进入产品试产

南亚科总经理李培瑛近日宣布,已完成自主研发10纳米级DRAM技术。
的头像 半导体动态 发表于 01-13 15:16 529次 阅读
南亚科李培瑛宣布已完成自主研发10纳米级DRAM技术 预计2020下半年陆续进入产品试产

存储器实现技术革新,DRAM有望进行量产

据近日报道,面对存储器半导体产业市场低迷,三星电子,SK海力士,镁光企图通过新旧世代的产品交替,克服....
发表于 01-13 13:50 386次 阅读
存储器实现技术革新,DRAM有望进行量产

南亚科10纳米级DRAM技术自主研发完成

据悉,全球DRAM内存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中,他们的份额高达95%以上,关键....
的头像 汽车玩家 发表于 01-13 11:19 593次 阅读
南亚科10纳米级DRAM技术自主研发完成

Kioxia和西部数据NAND Fab发生火灾,对供应几乎无影响

据报道,Kioxia已告知其客户,其一家工厂的生产工具在星期二早些时候着火了。据生产合作伙伴西部数据....
的头像 刘伟DE 发表于 01-11 06:00 2553次 阅读
Kioxia和西部数据NAND Fab发生火灾,对供应几乎无影响

三星晶圆厂停电不会影响第一季度DRAM价格

早在2019年12月31日,韩国华城三星的Line 13工厂停电并因此导致生产中断后,人们担心这种中....
的头像 刘伟DE 发表于 01-10 14:08 1977次 阅读
三星晶圆厂停电不会影响第一季度DRAM价格

三星芯片工厂断电,第一季度DRAM不会价格上涨

有外媒今日援引TrendForce研究部门DRAMeXchange报告指出,对消费市场而言,此次事件....
的头像 汽车玩家 发表于 01-10 09:43 658次 阅读
三星芯片工厂断电,第一季度DRAM不会价格上涨

铠侠NAND Flash厂房火灾预计对生产没影响

1月7日上午,全球第2大NAND Flash厂商铠侠(Kioxia,旧称东芝存储器)位于日本四日市的....
的头像 汽车玩家 发表于 01-09 11:49 826次 阅读
铠侠NAND Flash厂房火灾预计对生产没影响

受三星跳电事件影响 1Q20 DRAM合约价将上涨

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,随着近一个月来 DRAM 现货价格持....
发表于 01-09 11:23 204次 阅读
受三星跳电事件影响 1Q20 DRAM合约价将上涨

DRAM供应商开始抑制产能增长 主导DRAM价格上涨

市场研究公司TrendForce的子公司DRAMeXchange在5月8日(台湾时间)宣布,DRAM....
的头像 渔翁先生 发表于 01-09 09:53 2034次 阅读
DRAM供应商开始抑制产能增长 主导DRAM价格上涨

SK海力士推出两款高端SSD系列产品,瞄准高性能用户和PC游戏玩家

根据消息报道,SK 海力士在CES 2020上发布了发布了两款M.2 PCI NVMe固态硬盘,分别....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-08 15:04 764次 阅读
SK海力士推出两款高端SSD系列产品,瞄准高性能用户和PC游戏玩家

12月威刚NAND Flash维持出货高档 2020年需求有望持续扩大

存储现货价格止跌回升,带动存储模组厂威刚去年12月营收新台币24.8亿元(下同),年增19.03%、....
的头像 刘伟DE 发表于 01-08 08:08 1297次 阅读
12月威刚NAND Flash维持出货高档 2020年需求有望持续扩大

2019年DRAM芯片报价一路走低 1月涨价将是大概率事件

行业机构DRAMeXchange发布了8Gb DDR4内存芯片的最新月度合约报价,可以看到,已经连续....
发表于 01-06 10:29 643次 阅读
2019年DRAM芯片报价一路走低 1月涨价将是大概率事件

国产存储芯片新格局:2020年真正实现大规模量产!

存储芯片在电子产业链中扮演着非常重要的角色,主要分为闪存和内存,闪存包括 NAND Flash 和 ....
的头像 Carol Li 发表于 01-06 08:30 6580次 阅读
国产存储芯片新格局:2020年真正实现大规模量产!

DRAM价格稳中求升 存储器市场现复苏迹象

DRAM合约价格已经连续两个月持平。尽管2020年1季度是季节性淡季,但由于OEM制造商对库存的需求....
的头像 刘伟DE 发表于 01-06 00:04 1851次 阅读
DRAM价格稳中求升 存储器市场现复苏迹象

预测:2020年第一季度NAND闪存环比增长10%,全年售价上涨40%

据消息报道,台湾内存芯片制造商的消息人士预测,NAND闪存合同价格将在2020年上涨40%。这将包括....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-03 17:15 1151次 阅读
预测:2020年第一季度NAND闪存环比增长10%,全年售价上涨40%

2020年第一季NAND Flash价格持续上涨 预期涨价态势得已延续

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,由于 Client SSD 合约价自....
发表于 01-03 10:32 406次 阅读
2020年第一季NAND Flash价格持续上涨 预期涨价态势得已延续

2019年SSD回顾:TLC NAND仍然是主流

近日,老牌硬件媒体AnandTech发表文章总结了2019年SSD的发展,AnandTech认为在过....
的头像 渔翁先生 发表于 01-03 09:40 2724次 阅读
2019年SSD回顾:TLC NAND仍然是主流

2020年NAND闪存需求逐渐紧张,价格预计持续走扬

研调机构集邦科技存储器储存研究(DRAMeXchange)最新调查指出,2020年首季NAND Fl....
的头像 汽车玩家 发表于 01-02 16:45 1098次 阅读
2020年NAND闪存需求逐渐紧张,价格预计持续走扬

NAND Flash闪存芯片提价 可能重新回归千元以上“站岗”

新年伊始,让PC用户们心情复杂的消息传来,存储业内人士指出,NAND Flash闪存芯片的价格将在今....
发表于 01-02 16:01 270次 阅读
NAND Flash闪存芯片提价 可能重新回归千元以上“站岗”

三星华城芯片工厂断电,或将造成内存、闪存涨价速度大幅提前

2020年1月1日,三星电子公司表示,在发生大约一分钟的断电事故后,其华城芯片工厂的部分芯片生产已经....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-02 14:00 1287次 阅读
三星华城芯片工厂断电,或将造成内存、闪存涨价速度大幅提前

i.mx287 USB固件烧写到NAND Flash失败

板子是自己画的,原理参照周立功I.MX287的工控板。 CPU芯片型号是:MCIMX287CVM4B   ;  &n...
发表于 12-18 10:23 708次 阅读
i.mx287 USB固件烧写到NAND Flash失败

ClearNAND闪存的功能怎么改善?

自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持最新的多层单元(MLC)架构...
发表于 11-11 07:52 289次 阅读
ClearNAND闪存的功能怎么改善?

如何获得配置PS DRAM控制器(DDRC)板的参数?

嗨,我已经搜索了很多关于配置PS DRAM控制器(DDRC)板参数的信息,链接如下,http://www.xilinx.com/support/answer...
发表于 11-07 08:43 226次 阅读
如何获得配置PS DRAM控制器(DDRC)板的参数?

如何实现定制缓冲管理?

随着通信协议的发展及多样化,协议处理部分PE在硬件转发实现方面,普遍采用现有的商用芯片NP(Network Processor,网络处理...
发表于 11-07 06:27 228次 阅读
如何实现定制缓冲管理?

为什么u-boot重新上电后串口没有数据弹出?

我通过jlink仿真器将U-BOOT下载到NAND FLASH中,但是重新上电后,串口无数据弹出,请帮忙分析下原因好吧?我的操作...
发表于 11-05 00:30 193次 阅读
为什么u-boot重新上电后串口没有数据弹出?

无法读取nand flash的设备ID该怎么办?

大家好, 我们使用SnSnand NAND Flash(S34 ML01G100T1000)在我们的与DMC5处理器接口的自定义板上,并用IPN...
发表于 10-29 09:30 301次 阅读
无法读取nand flash的设备ID该怎么办?

请问nand中的ALE该怎么算?

请问evm5517_v1\tests\nandflash这个例程中 擦除操作 // Start erase operation NANDFLASH_CLE = CMD_ERA...
发表于 10-28 09:30 183次 阅读
请问nand中的ALE该怎么算?

YAFFS在NAND闪存芯片有什么用处?

目前,针对NOR Flash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普...
发表于 10-28 06:39 223次 阅读
YAFFS在NAND闪存芯片有什么用处?

为什么下载光盘自带的myled.bin无法运行?

从nor启动,按d,然后用DNW下载myled.bin,下载地址0x30000000.就停在下图处不动。 换从nand启动,并用openjtag下载运行...
发表于 10-27 22:10 158次 阅读
为什么下载光盘自带的myled.bin无法运行?

请问NAND FLASH的ECC怎么配置?

我的板子是EasyEVM,在调试NAND FLASH时,按照官方的例程配置eccType为NAND_ECC_ALGO_RS_4BIT,发...
发表于 10-25 10:38 166次 阅读
请问NAND FLASH的ECC怎么配置?